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PN263L-(NC)

更新时间： 2024-11-26 19:52:59

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松下 - PANASONIC		光电
页数	文件大小	规格书
4页	108K
描述
Photo Darlington, 850nm, 0.03A I(C), LSTLL102NC-002, 2 PIN

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PN263L-(NC) 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LSTLL102NC-002, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.84	其他特性：	SIDE VIEW
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	500 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	30 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.03 A
最高工作温度：	80 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	PHOTO DARLINGTON	峰值波长：	850 nm
最大功率耗散：	0.1 W	形状：	ROUND
尺寸：	1.1 mm	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

PN263L-(NC) 数据手册

Composite Transistors

XP05534

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

0.12

–0.02

0.2 ^0.05

For high-frequency amplification

■ Features

• High transition frequency f_T

• Two elements incorporated into one package

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

10˚

■ Basic Part Number

• 2SC2404 × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

3: Base (Tr2)

EIAJ: SC-88

4: Collector (Tr2)

5: Emitter (Tr2)

6: Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Marking Symbol: IS

Internal Connection

Collector current

I_C

P_T

T_j

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

Tr1

Tr2

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_EBO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA

720



Forward current transfer ratio

Transition frequency

h_FE

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA

f_T

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA, f = 100 MHz

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA, f = 10.7 MHz

450

650

0.8

MHz

Reverse transfer capacitance

(Common emitter)

C_re

1.0

Power gain

G_P

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA, f = 100 MHz

Noise figure

3.3

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2004

SJJ00192AED

12 3 4

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PN268	PANASONIC	获取价格	DARLINGTON PHOTOTRANSISTOR FOR OPTICAL CONTROL SYSTEMS
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