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PN263L-(NC)

更新时间： 2024-09-27 19:52:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
Photo Darlington, 850nm, 0.03A I(C), LSTLL102NC-002, 2 PIN

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PN263L-(NC) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LSTLL102NC-002, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.70.80
风险等级：5.84其他特性：SIDE VIEW
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：20 V配置：SINGLE
最大暗电源：500 nA红外线范围：YES
标称光电流：30 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.03 A
最高工作温度：80 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：PHOTO DARLINGTON峰值波长：850 nm
最大功率耗散：0.1 W形状：ROUND
尺寸：1.1 mm子类别：Photo Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

PN263L-(NC) 数据手册

 浏览型号PN263L-(NC)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PN263L-(NC)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PN263L-(NC)的Datasheet PDF文件第4页 
Composite Transistors  
XP05534  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.05  
0.12  
–0.02  
0.2 0.05  
For high-frequency amplification  
5
6
4
3
■ Features  
• High transition frequency fT  
1
2
• Two elements incorporated into one package  
• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half  
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.1  
10˚  
■ Basic Part Number  
• 2SC2404 × 2  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
1: Emitter (Tr1)  
2: Base (Tr1)  
3: Base (Tr2)  
EIAJ: SC-88  
4: Collector (Tr2)  
5: Emitter (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
SMini6-G1 Package  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
30  
20  
V
Marking Symbol: IS  
3
15  
V
Internal Connection  
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
6
5
4
150  
Tstg  
−55 to +150  
Tr1  
Tr2  
3
1
2
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VEBO  
VBE  
Conditions  
Min  
30  
3
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Base-emitter voltage  
IC = 10 µA, IE = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
VCB = 6 V, IE = −1 mA  
720  
mV  
Forward current transfer ratio  
Transition frequency  
hFE  
VCB = 6 V, IE = −1 mA  
40  
fT  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 100 MHz  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 10.7 MHz  
450  
650  
0.8  
MHz  
pF  
Reverse transfer capacitance  
(Common emitter)  
Cre  
1.0  
Power gain  
GP  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 100 MHz  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 100 MHz  
24  
dB  
dB  
Noise figure  
NF  
3.3  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: March 2004  
SJJ00192AED  
1
1234

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