PN108CL

更新时间： 2024-11-18 22:26:27

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Silicon NPN Phototransistor

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PN108CL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MTRLR103-002, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	2000 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	3.5 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.02 A
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	900 nm
最大功率耗散：	0.1 W	最长响应时间：	0.000005 s
形状：	ROUND	尺寸：	4.2 mm
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

PN108CL 数据手册

Phototransistors

PNZ108CL (PN108CL)

Silicon NPN Phototransistor

Unit : mm

For optical control systems

Features

High sensitivity : I_CE(L)= 3.5 mA (min.) (at L = 500 lx)

3-ø0.45±0.05

Wide directional sensitivity for easy use

Fast response : t_r= 5 µs (typ.)

2.54±0.25

1.0

Signal mixing capability using base pin

Small size (low in height) package

0.15

1.0

3˚

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_ECO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to emitter voltage

Collector to base voltage

Emitter to collector voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1: Emitter

2: Base

2: Collector

˚C

Collector power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

100

T_opr

–25 to +85

–30 to +100

T_stg

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Dark current

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

I_CEO

V_CE= 10V

0.05

Collector photo current

Peak sensitivity wavelength

Acceptance half angle

Rise time

I_CE(L)

V_CE= 10V, L = 500 lx^*1

3.5

λ_P

V_CE= 10V

900

Measured from the optical axis to the half power point

V_CC= 10V, I_CE(L)

deg.

t_r^*2

t_f^*2

µs 5mA

Fall time

R_L= 100Ω

µs

Collector saturation voltage

V_CE(sat)I_CE(L)= 1mA, L = 1000 lx^*1

0.3

0.6

^*1Measurements were made using a tungsten lamp (color temperature T = 2856K) as a light source.

^*2Switching time measurement circuit

Sig.IN

V_CC

t_d: Delay time

(Input pulse)

t_r: Rise time (Time required for the collector photo current to

increase from 10% to 90% of its final value)

90%

10%

Sig.OUT

(Output pulse)

t_d

t_f: Fall time (Time required for the collector photo current to

decrease from 90% to 10% of its initial value)

50Ω

R_L

t_r

t_f

Classifications

Class

CE(L)

I_CE(L)(mA)

3.5 to 6.0

5.0 to 9.1

> 7.5

Note) Difficult to guarantee compliance with moisture resistance standard (MIL-STD-202D).

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

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PN108F	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 900NM PEAK WAVELENGTH \| 30M \| CAN-4.7
PN10-8FF-L	PANDUIT	获取价格	12-10 BARREL NYLON INSUL FLANGED FORK 225 5.72 MAX WIRE INSUL DIA
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