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PM1200HCE330-1

更新时间： 2024-11-28 06:04:11

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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6页	60K
描述
INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE

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PM1200HCE330-1 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1200 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	12500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	3.95 V
Base Number Matches：	1

PM1200HCE330-1 数据手册

MITSUBISHI HVIPM

PM1200HCE330-1

HIGH POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

HVIPM (High Voltage Intelligent Power Module)

PM1200HCE330-1

● IC................................................................ 1200A

● VCES ....................................................... 3300V

● Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

● Monolithic Gate Drive

● Protection Logic : OC/OT/UV

(Over Current / Over Temperature / Under supply Voltage)

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

6-M8 NUTS

Screwing depth 16.5mm

61.5 ±0.3

29.6

COLLECTOR

ELECTRODE

EMITTER

ELECTRODE

2-M3

Screwing

(14)

(16.5)

CONTROL CONNECTOR

CONTROL CONNECTOR FEMALE

TYPE: IL-AG5-6S-S3C1

8 - φ6.5 MOUNTING HOLES

27.1

30.9

57±0.3

190 ±0.3

57±0.3

36.9

CONTROL CONNECTOR

TERMINAL ARREANGEMENT

2.6

HVIPM (High Voltage Intelligent Power Module)

Jul. 2005

12 3 4 5 6

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