PIP3106-D

更新时间： 2024-09-23 06:03:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	39K
描述
LOGOC LEVEL TOPFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PIP3106-D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.105 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PIP3106-D 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Logic level TOPFET

PIP3106-D

DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

Monolithic temperature and

overload protected logic level power

MOSFET in TOPFET2 technology

assembled in a 3 pin surface mount

plastic package.

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

P_D

T_j

Continuous drain source voltage

Continuous drain current

Total power dissipation

Continuous junction temperature

150

˚C

APPLICATIONS

R_DS(ON)

I_ISL

Drain-source on-state resistance

100

650

mΩ

µA

General purpose switch for driving

Input supply current

V_IS= 5 V

lamps

motors

solenoids

heaters

FEATURES

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

TrenchMOS output stage

Current limiting

Overload protection

DRAIN

Overtemperature protection

Protection latched reset by input

5 V logic compatible input level

Control of output stage and

supply of overload protection

circuits derived from input

Low operating input current

permits direct drive by

O / V

CLAMP

POWER

INPUT

MOSFET

RIG

micro-controller

ESD protection on all pins

Overvoltage clamping for turn

off of inductive loads

LOGIC AND

PROTECTION

SOURCE

Fig.1. Elements of the TOPFET.

PINNING - SOT428

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

TOPFET

input

drain

source

tab drain

October 2001

Rev 1.000

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与PIP3106-D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PIP3106-D,118	NXP	获取价格	PIP3106-D
PIP3107-D	NXP	获取价格	Logic level TOPFET
PIP3107-D,118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 50 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET Gener
PIP3115-B	NXP	获取价格	Logic level TOPFET
PIP3115-B,118	NXP	获取价格	PIP3115-B
PIP3115-B/T3	NXP	获取价格	IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, PLASTIC, SOT-404, D2PAK-3, Peripheral Driver
PIP3117-B	NXP	获取价格	Logic level TOPFET
PIP3118-B	NXP	获取价格	Logic level TOPFET
PIP3118-B,118	NXP	获取价格	PIP3118-B
PIP3118-B/T3	NXP	获取价格	IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, PLASTIC, SOT-404, D2PAK-3, Peripheral Driver