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PIP3106-D,118

更新时间： 2024-02-24 18:55:27

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恩智浦 - NXP		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	37K
描述
PIP3106-D

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PIP3106-D,118 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PIP3106-D,118 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Logic level TOPFET

PIP3106-D

DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

Monolithic temperature and

overload protected logic level power

MOSFET in TOPFET2 technology

assembled in a 3 pin surface mount

plastic package.

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

P_D

T_j

Continuous drain source voltage

Continuous drain current

Total power dissipation

Continuous junction temperature

150

˚C

APPLICATIONS

R_DS(ON)

I_ISL

Drain-source on-state resistance

100

650

mΩ

µA

General purpose switch for driving

Input supply current

V_IS= 5 V

lamps

motors

solenoids

heaters

FEATURES

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

TrenchMOS output stage

Current limiting

Overload protection

DRAIN

Overtemperature protection

Protection latched reset by input

5 V logic compatible input level

Control of output stage and

supply of overload protection

circuits derived from input

Low operating input current

permits direct drive by

O / V

CLAMP

POWER

INPUT

MOSFET

RIG

micro-controller

ESD protection on all pins

Overvoltage clamping for turn

off of inductive loads

LOGIC AND

PROTECTION

SOURCE

Fig.1. Elements of the TOPFET.

PINNING - SOT428

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

TOPFET

input

drain

source

tab drain

October 2001

Rev 1.000

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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