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PIMD3

更新时间： 2024-02-13 10:42:04

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	228K
描述
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩProduction

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PIMD3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	晶体管元件材料：	SILICON

PIMD3 数据手册

Nexperia

PIMD3

NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

006aac772

006aac757

(pF)

(MHz)

-1

(V)

I (mA)

f = 1 MHz

T_amb= 25 °C

f = 100 MHz

T_amb= 25 °C

V_CE= 5 V

Fig. 7. TR1 (NPN): Collector capacitance as a function

of collector-base voltage; typical values

Fig. 8. TR1 (NPN): Transition frequency as a function

of collector current; typical values of built-in

transistor

006aac773

006aac774

-1

(1)

CEsat

(V)

(2)

(3)

-1

(1)

-10

(2)

(3)

-2

-10

-1

-10

-1

-10

-1

-10

(mA)

I (mA)

V_CE= -5 V

I_C/I_B= 20

(1) T_amb= 100 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -40 °C

(1) T_amb= 100 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -40 °C

Fig. 9. TR2 (PNP): DC current gain as a function of

collector current; typical values

Fig. 10. TR2 (PNP): Collector-emitter saturation voltage

as a function of collector current; typical values

PIMD3

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Product data sheet

12 August 2022

7 / 13

1...4 5 678 9 10...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PIMH9	NXP	NPN resistor-equipped double transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 47 kohm	获取价格
PIMH9	NEXPERIA	NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 1	获取价格
PIMH9,115	NXP	PEMH9; PIMH9; PUMH9 - NPN/NPN resistor-equipp	获取价格
PIMM25SG144B	ETC	Microprocessor	获取价格
PIMM25SG144M	ETC	Microprocessor	获取价格
PIMM33SG144B	ETC	Microprocessor	获取价格