5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.42 |
| 具有ADC： | YES | 地址总线宽度： | |
| 位大小： | 8 | CPU系列： | PIC18 |
| 最大时钟频率： | 40 MHz | DAC 通道： | NO |
| DMA 通道： | NO | 外部数据总线宽度： | |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | 长度： | 22.8 mm |
| 低功率模式： | YES | I/O 线路数量： | 16 |
| 端子数量： | 18 | 计时器数量： | 4 |
| 片上数据RAM宽度： | 8 | 片上程序ROM宽度： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| PWM 通道： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| RAM（字节）： | 256 | RAM（字数）： | 256 |
| ROM（单词）： | 2048 | ROM可编程性： | FLASH |
| 座面最大高度： | 4.32 mm | 速度： | 40 MHz |
| 最大压摆率： | 15 mA | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 2 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PIC18LF1220E/PQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220E/PSQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220E/SOQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220E/SOSQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220E/SSQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220E/SSSQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220-I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, MS-001, DIP-18 |
|
| PIC18LF1220I/PQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220I/PSQTP | MICROCHIP |
获取价格 |
18/20/28-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers |
|
| PIC18LF1220-I/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO18, 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-18 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
