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PG1262

更新时间: 2024-01-01 02:32:25
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 772K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111

PG1262 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):100
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):20 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

PG1262 数据手册

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