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PF48F6000M0Y0C0

更新时间: 2024-01-09 14:44:27
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
139页 2131K
描述
Flash, 64MX16, 96ns, PBGA107,

PF48F6000M0Y0C0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:FBGA, BGA107,9X12,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8最长访问时间:96 ns
命令用户界面:NO通用闪存接口:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B107
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:512
端子数量:107字数:67108864 words
字数代码:64000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:64MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA107,9X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH页面大小:16 words
并行/串行:PARALLEL电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified部门规模:128K
最大待机电流:0.00003 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.046 mA标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
切换位:NO类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

PF48F6000M0Y0C0 数据手册

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Numonyx™ StrataFlash® Cellular Memory (M18)  
Date  
Revision Description  
Added note stating the value of RCR8 in timing diagrams inSection 7.2.1, “Read Timing Waveforms”  
on page 52.  
July 2007  
009  
Resized several timing diagrams in AC Characteristics section.  
Updated timing diagrams Figure 31, “Async Read to Write (Non-Mux)” on page 62, Figure 36, “Async Read  
to Write (AD-Mux)” on page 66 and Figure 37, “Write to Async Read (AD-Mux)” on page 66  
March 2008  
April 2008  
010  
11  
Updated Program performance specs with Capulet improved performance values.  
Applied Numonyx branding.  
April 2008  
Order Number: 309823-11  
Datasheet  
7

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