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PDTC114TE,115 PDF预览

PDTC114TE,115

更新时间： 2024-01-15 17:30:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 198K
描述
PDTC114T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open SC-75 3-Pin

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PDTC114TE,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-75包装说明：PLASTIC, SC-75, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.4其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PDTC114TE,115 数据手册

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PDTC114T series  
Philips Semiconductors  
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open  
5. Limiting values  
Table 6:  
Limiting values  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IO  
Parameter  
Conditions  
open emitter  
open base  
Min  
Max  
50  
Unit  
V
collector-base voltage  
collector-emitter voltage  
emitter-base voltage  
output current  
-
-
-
-
-
50  
V
open collector  
5
V
100  
100  
mA  
mA  
ICM  
peak collector current  
single pulse;  
tp ≤ 1 ms  
Ptot  
total power dissipation  
SOT416  
Tamb ≤ 25 °C  
[1]  
[1]  
-
150  
250  
250  
500  
250  
200  
+150  
150  
+150  
mW  
mW  
mW  
mW  
mW  
mW  
°C  
SOT346  
-
[2] [3]  
[1]  
SOT883  
-
SOT54  
-
[1]  
SOT23  
-
[1]  
SOT323  
-
Tstg  
Tj  
storage temperature  
junction temperature  
ambient temperature  
−65  
-
°C  
Tamb  
−65  
°C  
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
[2] Reflow soldering is the only recommended soldering method.  
[3] Device mounted on an FR4 PCB with 60 µm copper strip line, standard footprint.  
6. Thermal characteristics  
Table 7:  
Thermal characteristics  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Rth(j-a)  
thermal resistance from in free air  
junction to ambient  
[1]  
[1]  
SOT416  
SOT346  
SOT883  
SOT54  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833  
500  
500  
250  
500  
625  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
[2] [3]  
[1]  
[1]  
SOT23  
[1]  
SOT323  
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
[2] Reflow soldering is the only recommended soldering method.  
[3] Device mounted on an FR4 PCB with 60 µm copper strip line, standard footprint.  
PDTC114T_SER_8  
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 08 — 9 February 2006  
4 of 11  
 
 
 
 
 
 
 
 
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PDTC114TEF NXP PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open

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