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PDT1447-DI-SC

更新时间： 2024-02-15 04:12:56

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安捷伦 - AGILENT		光电半导体
页数	文件大小	规格书
6页	91K
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PIN Photodiode

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PDT1447-DI-SC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最大暗电源：	1 nA	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	最长响应时间：	5e-10 s
最大反向电压：	20 V	半导体材料：	InGaAs
子类别：	Photo Diodes	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

PDT1447-DI-SC 数据手册

PDT Mechanical Outline Options

PDT1X4X-A

ØM

ØE

ØN

ØG

Dim Min

Max

25.0

19.5

Dim

ØG

Min Max

2.54 NOM

9.5

2.4

2.0

12.0

9.5

0.47

0.41

1000

13.35 13.55

ØM

ØN

2.1

2.4

6.25

All dimensions in mm

PDT1X4X-B

ØB

ØE

ØG

Dim Min

Max

25.0

6.25

ØB

12.0

8.5

0.47

ØE

0.41

1000

ØG 2.54 NOM

All dimensions in mm

1 234 5 6

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与PDT1447-DI-SC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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PDT15016	NIEC	150A Avg 1200~1600 Volts	获取价格
PDT1508	NIEC	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 150000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele	获取价格
PDT-15-10	WABASH	The Compact Power Transformer	获取价格
PDT15116	NIEC	150A Avg 1600 Volts	获取价格
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