PDR-C3-ASSTAN

更新时间： 2024-02-04 00:15:08

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描述
InGaAs PIN Photodiode Modules

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PDR-C3-ASSTAN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
主体高度：	26 mm	主体长度或直径：	7 mm
连接类型：	ST CONNECTOR	最大暗电源：	0.4 nA
光纤设备类型：	PHOTODIODE DETECTOR	光纤类型：	9/125, SMF
安装特点：	BOARD/PANEL MOUNT	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大工作波长：	1650 nm
最小工作波长：	1100 nm	标称工作波长：	1310 nm
响应度：	0.85 A/W	表面贴装：	NO
传输类型：	DIGITAL	Base Number Matches：	1

PDR-C3-ASSTAN 数据手册

InGaAs PIN Photodiode Modules

PDR-C3-AXSTAN-XX

Features

• InGaAs/InP PIN Photodiode

• High responsivity at 1310nm and 1550nm

• Low dark current

• Fast pulse response

• -40 to +85ºC operating temperature

• Hermetically sealed 3-pin metal case

• ST receptacle package

• For Single Mode and Multi Mode use

• RoHS Compliant available

Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Supply Reverse voltage

V_R

Forward Current

I_F

ºC

Reverse Current

I_R

Operating Temperature

Storage Temperature

T_opr

T_stg

-40 ~ 85

ºC

(All optical data refer to a coupled 9/125µm S/M & 50/125µm M/M & 62.5/125µm M/M ﬁber)

Optical and Electrical Characteristics (Tc=25ºC)

Parameter

Active Area (Dia)

Detection Range

Responsivity

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

µm

Test Conditions

1100

0.8

1650

1310

0.85

0.4

V_R=5V, λ=1310nm

V_R=5V

A/W

Dark Current

Capacitance

I_dark

C_t

0.8

1.2

V_R=5V

Rise/Fall Time

Bandwidth

t_r/t_f

0.3

V_R=5V, 10%~90%

V_R=5V

GHz

Note: 1.Pin assignment can be customized.

2.Speciﬁcations subject to change without notice.

LUMNDS803-MAR0306

rev. A.1

20550 Nordhoff St. • Chatsworth, CA 91311 • tel: 818.773.9044 • fax: 818.576.9486

9F, No 81, Shui Lee Rd. • Hsinchu, Taiwan, R.O.C. • tel: 886.3.5169222 • fax: 886.3.5169213

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