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PDM31034SA12SOI

更新时间： 2024-01-14 19:32:24
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 232K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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PDM31034SA12SOI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.13
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32长度：20.98 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.68 mm
最大待机电流：0.005 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

PDM31034SA12SOI 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM31034  
Recommended DC Operating Conditions  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
1
2
V
V
Supply Voltage  
3.0  
0
3.3  
0
3.6  
0
V
V
CC  
SS  
Supply Voltage  
Industrial  
Ambient Temperature  
Ambient Temperature  
–40  
–0  
25  
25  
85  
70  
°C  
°C  
Commercial  
3
DC Electrical Characteristics (V = 3.3V ± 0.3V)  
CC  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
I
Input Leakage Current  
V
= Max., V = V to V  
CC  
Com’l/  
Ind.  
–5  
5
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
4
I
Output Leakage Current  
V
= Max.,  
Com’l/  
Ind.  
–5  
5
µA  
LO  
CC  
CE = V , V  
= V to V  
SS CC  
IH OUT  
(1)  
V
V
V
V
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
–0.3  
2.2  
—
0.8  
Vcc+0.3  
0.4  
V
V
V
V
IL  
5
IH  
I
I
= 8 mA, V = Min.  
CC  
OL  
OH  
OL  
= –4 mA, V = Min.  
2.4  
—
OH  
CC  
6
NOTE:1.V (min) = –3.0V for pulse width less than 20 ns  
IL  
7
Power Supply Characteristics  
(1)  
(1)  
-9  
-10  
-12  
-15  
-20  
Symbol Parameter  
Operating Current  
CE = V  
Com’l.  
Com’l. Com’l Ind. Com’l Ind. Auto. Com’l Ind. Auto. Unit  
8
I
125  
115  
110  
115  
100  
105  
110  
90  
95  
110  
mA  
CC  
IL  
f = f  
= 1/t  
RC  
MAX  
V
= Max.  
= 0 mA  
CC  
9
I
OUT  
I
Standby Current  
CE = V  
20  
5
20  
5
20  
5
20  
5
20  
5
20  
5
30  
10  
20  
5
20  
5
30  
10  
mA  
mA  
SB  
IH  
f = f  
V
= 1/t  
RC  
MAX  
10  
11  
12  
= Max.  
CC  
I
Full Standby Current  
CE ≥ V – 0.2V  
SB1  
CC  
f = 0  
V
V
= Max.,  
CC  
≥ V – 0.2V or ≤ 0.2V  
IN  
CC  
NOTES: All values are maximum guaranteed values.  
1. V = 3.3V + 5%  
CC  
Rev. 1.3  
3
12345678

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PDM31034SA12SOTY IXYS Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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