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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PDM1102H
PDM1102H PDF预览

PDM1102H

更新时间： 2024-01-22 10:07:23
品牌 Logo 应用领域
NIEC 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 120K
描述
MOSFET - 110A, 250V

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PDM1102H 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PDM1102H 数据手册

 浏览型号PDM1102H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PDM1102H的Datasheet PDF文件第3页 
■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherw ise noted）  
特性値（最大）  
M axim um Value  
項ꢀꢀꢀ目  
Characteristic  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Condition  
単位  
Unit  
最小 標準 最大  
M in. Typ. M ax.  
VDS＝VDSS, VGS＝0V  
─
─
─
─
1
4
ドレイン遮断電流  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
m A  
Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V  
VDS＝VGS, ID＝3m A  
ゲート・ソース間しきい値電圧  
Gate-Source Threshold Voltage  
VG（S th）  
2
3.3  
─
4
V
μA  
m Ω  
V
ゲート・ソース間漏れ電流  
Gate-Source Leakage Current  
IGSS  
VGS＝±10V, VDS＝0V  
VGS＝10V, ID＝55A  
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
0.3  
33  
2.4  
─
─
─
─
─
─
─
─
ドレイン・ソース間オン抵抗（M OSFET部）  
Static Drain-Source On-Resistance  
rD（S on）  
29  
ドレイン・ソース間オン電圧  
Drain-Source On-Voltage  
VD（S on） VGS＝10V, ID＝55A  
2.2  
55  
順伝達コンダクタンス  
Forw ard Transconductance  
gfg  
VDS＝15V, ID＝55A  
S
入力容量  
Input Capacitance  
Ciss  
Coss  
Crss  
t（d on）  
tr  
13  
nF  
nF  
nF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS＝0V  
VDS＝25V  
f＝1M Hz  
出力容量  
Output Capacitance  
2.3  
0.36  
140  
200  
230  
80  
帰還容量  
Reverse Transfer Capacitance  
ターン・オン遅延時間  
Turn-On Delay Tim e  
上昇時間  
Rise Tim e  
VDD＝1/2VDSS  
ID＝55A  
VGS＝－5V, ＋10V  
RG＝5Ω  
ターン・オン遅延時間  
Turn-Off Delay Tim e  
t（d off）  
tf  
下降時間  
Fall Tim e  
■内部ダイオード定格・特性ꢀSource-D rain D iode Ratings and Characteristics（＠T  
C
＝25℃ unless otherw ise noted）  
特性値（最大）  
M axim um Value  
項ꢀꢀꢀ目  
Characteristic  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Condition  
単位  
最小 標準 最大  
Unit  
M in. Typ. M ax.  
ソース電流（連続）  
Continuous Source Current  
IS  
ISM  
VSD  
trr  
D. C.  
─
─
─
─
─
─
─
80  
220  
1.4  
─
A
A
パルスソース電流  
Pulsed Source Current  
ダイオード順電圧  
Diode Forw ard Voltage  
IS＝110A  
IS＝110A  
─
V
逆回復時間  
Reverse Recovery Tim e  
75  
ns  
μC  
－diS/dt＝100A /μs  
逆回復電荷  
Reverse Recovery Charge  
Qr  
0.15  
─
Ｍ
Ｏ
Ｓ
Ｆ
Ｅ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
■熱抵抗特性ꢀTherm al Characteristics  
特性値（最大）  
M axim um Value  
項ꢀꢀꢀ目  
Characteristic  
記号  
条ꢀꢀꢀ件  
Condition  
単位  
Unit  
最小 標準 最大  
M in. Typ. M ax.  
Sym bol  
Rt（h j-c）  
Rt（h c-f）  
M OSFET  
Diode  
─
─
─
─
0.30  
2.0  
熱抵抗（接合部－ケース間）  
Therm al Resistance, Junction to Case  
℃/W  
接触熱抵抗（ケース－冷却フィン間）  
Therm al Resistance, Case to Heatsink  
サーマルコンパウンド塗布  
M ounting surface flat, sm ooth, and greased  
─
─
0.1  
─ 332 ─  
123

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