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PDM1102H PDF预览

PDM1102H

更新时间： 2024-02-25 10:36:16
品牌 Logo 应用领域
NIEC 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 120K
描述
MOSFET - 110A, 250V

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PDM1102H 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PDM1102H 数据手册

 浏览型号PDM1102H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PDM1102H的Datasheet PDF文件第2页 
■定格・特性曲線  
Fig. 1 Typical O utput C haracteristics  
Fig. 2 Typical D rain-Source O n-Voltage  
Fig. 2 Vs. G ate-Source Voltage  
Fig. 3 Typical D rain-Source O n Voltage  
Fig. 3 Vs. Junction Tem perature  
TC=25℃ 250μs Pulse Test  
VGS=10V 250μs Pulse Test  
TC=25℃ 250μs Pulse Test  
240  
200  
160  
120  
80  
12  
10  
8
8
6
4
2
0
VGS=10V  
8V  
noV()  
noV()  
SD  
SD  
V
E
V
E
(A)  
ID=110A  
G
A
G
A
D
T
L
T
L
7V  
O
V
O
V
ID=110A  
6
55A  
25A  
4
6V  
55A  
25A  
DACURENTI  
USRCENO  
USRCENO  
O
T
O
T
40  
2
0
5V  
RDIAN  
RDIAN  
0
0
2
4
6
8
10  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
0
4
8
12  
16  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)  
JUNCTION TEMPERATURE Tj (ꢀ℃)  
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)  
Fig. 4 Typical C apacitance  
Fig. 5 Typical G ate C harge  
Fig. 6 Typical Sw itching Tim e  
Fig. 4 Vs. D rain-Source Voltage  
Fig. 5 Vs. G ate-Source Voltage  
Fig. 6 Vs. Series G ate im pedance  
VGS=0V f=1M Hz  
ID=80A  
ID=55A VDD=48V TC=25℃ 80μs Pulse Test  
30  
24  
18  
16  
5
VDD= 48V  
125V  
200V  
)
2
1
SG  
12  
8
V
E
)s  
G
A
T
L
O
ITEMt(  
0.5  
ANEC(nF)  
Ciss  
CIT  
12  
6
A
OSURCVE  
td(off)  
0.2  
0.1  
CAP  
O
tr  
WSTCHNIG  
4
ET  
td(on)  
AG  
tf  
Coss  
0
0
0.05  
1
2
5
10  
20  
50  
100  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)  
TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC)  
SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ωꢀ)  
Fig. 7 Typical Sw itching Tim e  
Fig. 7 Vs. D rain C urrent  
Fig. 8 Typical Source-D rain D iode Forw ard  
Fig. 8 C haracteristics  
Fig. 9 Typical Reverse Recovery C haracteristics  
RG=5Ω VDD=48V TC=25℃ 80μs Pulse Test  
RG=5Ω VDD=48V TC=25℃ 80μs Pulse Test  
IS=110A ꢀIS=80A Tj=125℃  
1000  
500  
1000  
500  
trr  
200  
100  
50  
n(s)  
r
tr  
tr  
td(off)  
td(off)  
200  
200  
A()  
E
R
Y
td(on)  
td(on)  
 n
TMIEt(ns)  
EVR  
100  
50  
100  
50  
tf  
tf  
20  
10  
5
 I
SWTHNCIG  
E
VSUCRENTI  
20  
10  
20  
10  
IR  
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
0
100  
200  
300  
400  
DRAIN CURRENT ID (A)  
DRAIN CURRENT ID (A)  
-dis/dt (A/μs)  
Fig. 10 M axim um Safe O perating A rea  
Fig. 11-1  
N orm alized Transient Therm al  
im pedance(M O SFET)  
2
1
TC=25℃ Tj=150℃M A X Single Pulse  
10μs  
500  
0.5  
NACE  
0.2  
0.1  
200  
100  
50  
]
ht(j-)c  
Per Unit Base  
Rth(j-c)=0.30℃/W  
1 Shot Pulse  
0.05  
/R  
100μs  
1m s  
(A)  
0.02  
0.01  
D
ht(j-)c  
 I
 M
[r  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1
10  
20  
10  
5
PULSE DURATION t (s)  
Operation in this area  
is lim ited by RDS (on)  
Fig. 11-2  
N orm alized Transient Therm al  
im pedance(D IO D E)  
2
1
10m s  
DC  
DACURENTI  
0.5  
NACE  
2
1
0.2  
0.1  
]
ht(j-)c  
Per Unit Base  
Rth(j-c)=2.0℃/W  
1 Shot Pulse  
0.05  
/R  
0.5  
0.5  
2
5
10 20 50  
100 200  
500  
0.02  
0.01  
ht(j-)c  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)  
 I
 M
[r  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1
10  
PULSE DURATION t (s)  
─ 333 ─  
123

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