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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> PBYR25-40CTX
PBYR25-40CTX PDF预览

PBYR25-40CTX

更新时间： 2024-11-23 13:12:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
DIODE 20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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PBYR25-40CTX 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：SURGE CAPABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

PBYR25-40CTX 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
schottky barrier  
PBYR2545CTB series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Dual low leakage, platinum barrier,  
schottky rectifier diodes in a plastic  
envelope suitable for surface  
mounting, featuring low forward  
voltage drop, absence of stored  
charge. and guaranteed reverse  
surge capability. The devices are  
intended for use in switched mode  
power supplies and high frequency  
circuits in general where low  
conductionand zero switchinglosses  
are important.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
PBYR25- 35CTB 40CTB 45CTB  
VRRM  
Repetitive peak reverse  
voltage  
Forward voltage  
Average output current  
(both diodes conducting)  
35  
40  
45  
V
VF  
IO(AV)  
0.62  
30  
0.62  
30  
0.62  
30  
V
A
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
anode 1  
mb  
a1  
1
a2  
3
2
cathode  
anode 2  
3
2
mb cathode  
1
3
k
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.  
MAX.  
UNIT  
-35  
35  
60  
35  
-40  
40  
80  
40  
-45  
45  
100  
45  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tmb ≤ 136 ˚C  
IO(AV)  
IO(RMS)  
IFRM  
Average output current (both  
diodes conducting)  
square wave; δ = 0.5;  
-
-
-
30  
43  
30  
A
A
A
T
mb ≤ 130 ˚C  
RMS output current (both  
diodes conducting)  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Tmb ≤ 130 ˚C  
IFSM  
Non-repetitive peak forward  
current, per diode  
t = 10 ms  
-
-
135  
150  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal Tj = 125 ˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRRM(max)  
I2t  
I2t for fusing  
t = 10 ms  
-
-
91  
1
A2s  
A
IRRM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
per diode.  
IRSM  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode.  
tp = 100 µs  
-
1
A
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
-65  
-
175  
150  
˚C  
˚C  
Operating junction temperature  
August 1996  
1
Rev 1.000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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