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P6SMBJ85C-T3

更新时间： 2024-02-21 16:43:52

品牌	Logo	应用领域
WTE		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	98K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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P6SMBJ85C-T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.2	最大击穿电压：	115 V
最小击穿电压：	94.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	最大重复峰值反向电压：	85 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

P6SMBJ85C-T3 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

P6SMBJ SERIES

600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Features

ꢀ

Glass Passivated Die Construction

ꢀ

600W Peak Pulse Power Dissipation

5.0V – 170V Standoff Voltage

Uni- and Bi-Directional Versions Available

Excellent Clamping Capability

Fast Response Time

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-O

SMB/DO-214AA

Min

Mechanical Data

Dim

Max

3.94

4.70

2.11

ꢀ

Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

per MIL-STD-750, Method 2026

3.30

ꢀ

4.06

1.91

ꢀ

Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional

Marking: Device Code

Weight: 0.093 grams (approx.)

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6

0.152

5.08

0.305

5.59

2.44

0.203

1.27

2.13

0.051

0.76

All Dimensions in mm

“C” Suffix Designates Bi-directional Devices

“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices

No Suffix Designates 10% Tolerance Devices

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

600 Minimum

See Table 1

5.0

Unit

Peak Pulse Power Dissipation 10/1000µS Waveform (Note 1, 2) Figure 3

Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 4

Steady State Power Dissipation (Note 4)

PPPM

IPPM

PM(AV)

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 2, 3)

I^FSM

100

Typical Thermal Resistance ,Junction to Lead (Note 5)

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)

Operating and Storage Temperature Range

RθJL

RθJA

100

°C/W

°C

Tj, TSTG

-55 to +150

Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 4 and derated above T_A= 25°C per Figure 1.

2. Mounted on 5.0mm²(0.013mm thick) land area.

3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

4. Lead temperature at 75°C.

5. Mounted on minimum recommended pad layout.

P6SMBJ SERIES

1 of 6

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与P6SMBJ85C-T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P6SMBJ85C-T3-LF	WTE	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21	获取价格
P6SMBJ85-LFR	FRONTIER	600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR	获取价格
P6SMBJ85-T3-LF	WTE	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2	获取价格
P6SMBJ8CA	LITTELFUSE	Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors	获取价格
P6SMBJ8V2	LITTELFUSE	Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors	获取价格
P6SMBJ8V2A	LITTELFUSE	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.02V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO	获取价格

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