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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.1 |
| 最大击穿电压： | 78.8 V | 最小击穿电压： | 71.3 V |
| 击穿电压标称值： | 75 V | 最大钳位电压： | 103 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 64.1 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P6SMB75C | TSC |
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Surface Mount Transient Voltage Suppressor |
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| P6SMB75C | SEMIKRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 60.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| P6SMB75C | PANJIT |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| P6SMB75C | SUNMATE |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE |
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| P6SMB75C | LITTELFUSE |
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P6SMB系列专门设计用于保护敏感电子设备不受闪电及其他瞬态电压现象引起的瞬态电压的影响。 |
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| P6SMB75CA | dowosemi |
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瞬态电压抑制二极管 |
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| P6SMB75CA | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| P6SMB75CA | RUILON |
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Transient Voltage Suppressors |
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| P6SMB75CA | LGE |
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Glass Passivated Junction Transient Voltage Suppressor |
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| P6SMB75CA | CENTRAL |
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BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 600 WATTS, 6.8 THRU |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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