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P6KE7.5ATR

更新时间: 2024-01-03 11:20:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, T-18, 2 PIN

P6KE7.5ATR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.05
其他特性:UL RECOGNIZED最大击穿电压:8.25 V
最小击穿电压:6.75 V击穿电压标称值:7.5 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:11.7 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-15
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
最大重复峰值反向电压:6.05 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P6KE7.5ATR 数据手册

 浏览型号P6KE7.5ATR的Datasheet PDF文件第2页 

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