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P6KE520CA

更新时间： 2024-01-20 12:14:24
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 瞬态抑制器二极管IOT局域网
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4页 124K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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P6KE520CA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.28其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：572 V最小击穿电压：468 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W最大重复峰值反向电压：422.2 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

P6KE520CA 数据手册

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P6KE6.8 ... P6KE440CA, P6KE520CA  
P6KE6.8 ... P6KE440CA, P6KE520CA  
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Version 2006-05-10  
Peak pulse power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
600 W  
Nominal breakdown voltage  
Nominale Abbruch-Spannung  
6.8...520 V  
Ø 3±0.05  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
DO-15  
(DO-204AC)  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 0.8±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C  
TL = 75°C  
TA = 25°C  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
600 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
5 W  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
100 A 2)  
Max. instantaneous forward voltage  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
IF = 25 A  
VBR ≤ 200 V  
VBR > 200 V  
VF  
VF  
< 3.5 V 2)  
< 5.0 V 2)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 30 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to leads  
RthL  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (r)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
2
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
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P6KE520CA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P6KE520C DIOTEC

完全替代

 Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
P6KE530CA LITTELFUSE

功能相似

 Transient Voltage Suppression Diodes
P6KE510CA LITTELFUSE

功能相似

 Transient Voltage Suppression Diodes

与P6KE520CA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6KE520CA-G COMCHIP

获取价格

 		600W Transient Voltage Suppressor
P6KE520CAG-TN3-R UTC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode,
P6KE520CAG-Z15-B UTC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 444.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE520CA-HF COMCHIP

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 444.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE520CA-LF WTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 444.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE520CA-T3 WTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 444.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE520CA-TB WTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 444.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE520CA-TB-LF WTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 444.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE520C-G COMCHIP

获取价格

 		600W Transient Voltage Suppressor
P6KE520C-LF WTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 422.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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