5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.39 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED | 最大击穿电压： | 11.5 V |
| 最小击穿电压： | 10 V | 击穿电压标称值： | 10.75 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 15.4 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-15 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 最大重复峰值反向电压： | 9 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P5KE9.0C-AP | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15, |
|
| P5KE9.0C-AP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| P5KE9.0CA-TP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| P5KE9.0CA-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15, |
|
| P5KE9.0C-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| P5KE9.0CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204 |
|
| P5KE9.0C-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| P5KE9.0CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204 |
|
| P5KE9.0E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
| P5KE9.0TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
