P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
PPPM = 400 W VWM = 5.0 ... 170 V
PM(AV) = 1.0 W
Tjmax = 150°C
VBR = 6.8 ... 200 V
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2018-12-12
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
SMA
~ DO-214AC
Free-wheeling diodes
Freilauf-Dioden
Commercial grade
Standardausführung
5± 0.2
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Features
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
400 W Impuls-Verlustleistung
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 400 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Further available: P4SMA220...550CA
having VBR = 220 ... 550 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
1± 0.3
0.15
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Auch erhältlich: P4SMA220...550CA mit
Type
Typ
VBR = 220 ... 550V
R
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
4.5± 0.3
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
7500 / 13“
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
0.07 g
Type Code = VWM. Cathode mark
only at unidirectional types
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Typ-Code = VWM. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Solder & assembly conditions
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
TA = 25°C
TT = 75°C
PPPM
PM(AV)
IFSM
400 W 3)
1 W
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms)
40 A 4)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
< 3.5 V 4)
IF = 25 A
VBR ≤ 200 V
VF
Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthA
RthT
70 K/W 5)
30 K/W
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
5
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1