Datasheet > P4SMA150

P4SMA150

更新时间： 2024-11-23 05:06:19

品牌	Logo	应用领域
强茂 - PANJIT		/
页数	文件大小	规格书
5页	109K
描述
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4SMA150 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	165 V
最小击穿电压：	135 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：	121 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

P4SMA150 数据手册

P4SMA SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Unit: inch (mm)

SMA/DO-214AC

VOLTAGE

FEATURES

PEAK PULSE POWER

400 Watts

5.5 to 214 Volts

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Low profile package

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low inductance

.181(4.60)

.157(4.00)

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

.012(.305)

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

.006(.152)

MECHANICAL DATA

.060(1.52)

.030(0.76)

.008(.203)

.002(.051)

• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction.

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes positive end (cathode)

.208(5.28)

.188(4.80)

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMA6.8 thru types P4SMA250.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Symbol

Value

400

Units

Peak Pulse Power Dissipation on T _A= 25 ^OC (Notes 1,2,5, Fig.1)

Peak Forward Surge Current per Fig.5 (Note 3)

PPM

Watts

IFSM

Amps

Watts

^OC

Peak Pulse Current on 10/1000s waveform(Note 1)Fig.2

Steady State Power Dissipation (NOTE 4)

IPPM

see Table 1

1.0

M(AV)

Operating Junction and Storage Temperature Range

,TSTG

-55 to +150

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T_A= 25 ^OC per Fig. 2.

2. Mounted on 5.0mm²copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

4. Lead temperature at 75^OC = T_L.

5. Peak pulse power waveform is 10/1000uS.

PAGE . 1

STAD-MAY.25.2007

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与P4SMA150相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4SMA150(C)A	GOOD-ARK	获取价格
P4SMA150A	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS
P4SMA150A	UNSEMI	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressors
P4SMA150A	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
P4SMA150A	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
P4SMA150A	LGE	获取价格	Glass Passivated Junction Transient Voltage Suppressor
P4SMA150A	FORMOSA	获取价格	Glass Passivated Junction Transient Voltage Suppressor
P4SMA150A	PACELEADER	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P4SMA150A	SEMIKRON	获取价格	Low profile package
P4SMA150A	BOURNS	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 128V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

与P4SMA150相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4SMA150

P4SMA150 技术参数

P4SMA150 数据手册

与P4SMA150相关器件

与P4SMA150相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4SMA150

P4SMA150 技术参数

P4SMA150 数据手册

与P4SMA150相关器件

与P4SMA150相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？