5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.57 | Is Samacsys： | N |
| 最大击穿电压： | 39.6 V | 最小击穿电压： | 32.4 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-41 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 265 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P4KE36H02-5 | RECTRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, |
|
| P4KE36H03 | RECTRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, |
|
| P4KE36H05-1 | RECTRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, |
|
| P4KE36H06 | RECTRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, |
|
| P4KE36HE3/54 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 29.1V 52V DO204AL |
|
| P4KE36HE3/73 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 29.1V 52V DO204AL |
|
| P4KE36J | MIC |
获取价格 |
PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPERSSOR |
|
| P4KE36-LF | SIRECT |
获取价格 |
400W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| P4KE36M01 | RECTRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, |
|
| P4KE36M03 | RECTRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
