是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-41 |
包装说明: | O-PALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 1.92 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 210 V | 最小击穿电压: | 190 V |
击穿电压标称值: | 200 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 274 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-204AL | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 400 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 171 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
P4KE200A | LITTELFUSE |
类似代替 |
Silicon Avalanche Diodes - 400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P4KE200A-BP | MCC |
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暂无描述 | |
P4KE200A-BP-HF | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
P4KE200A-C | SECOS |
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400 Peak Power | |
P4KE200A-E3/51 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
P4KE200A-E3/54 | VISHAY |
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TVS DIODE 171V 274V DO204AL | |
P4KE200A-E3/73 | VISHAY |
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TVS DIODE 171V 274V DO204AL | |
P4KE200AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
P4KE200AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
400W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | |
P4KE200A-G | COMCHIP |
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400W Transient Voltage Suppressor | |
P4KE200A-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |