5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-41 |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.05 |
| 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | 最大击穿电压： | 158 V |
| 最小击穿电压： | 143 V | 击穿电压标称值： | 150 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 207 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 400 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 265 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 128 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P4KE-150A | FCI |
获取价格 |
6.8V to 400V GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
| P4KE150A / CA | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
|
| P4KE150A/23 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 128V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| P4KE150A/51 | VISHAY |
获取价格 |
Transient Suppressor, |
|
| P4KE150A/B | YAGEO |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
|
| P4KE150A-A | MCC |
获取价格 |
Transient Suppressor, |
|
| P4KE150A-AP | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 128V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| P4KE150A-AP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| P4KE150A-AT | YAGEO |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 (车用) |
|
| P4KE150AB | LITTELFUSE |
获取价格 |
400W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAST |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
