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P4C164-70LSMLF PDF预览

P4C164-70LSMLF

更新时间: 2024-02-26 17:32:29
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 182K
描述
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS

P4C164-70LSMLF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP28,.45针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.01
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e3
长度:17.9832 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.45
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.794 mm最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.493 mmBase Number Matches:1

P4C164-70LSMLF 数据手册

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P4C164  
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED  
Temperature  
Symbol  
Parameter  
-8 -10 -12 -15 -20 -25 -35 45 -70 -100 Unit  
Range  
Commercial  
200 180 170 160 155 150 145 N/A 130 125  
N/A 190 180 170 160 155 150 N/A 145 140  
N/A N/A 180 170 160 155 150 145 145 145  
mA  
mA  
mA  
ICC  
Dynamic Operating Current*  
Industrial  
Military  
*VCC = 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE1 = VIL, CE2 = VIH, OE = VIH  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C164L, Military Temperature Only)  
Typ.*  
VCC=  
Max  
VCC=  
Symbol  
Parameter  
TestCondition  
Min  
Unit  
2.0V  
3.0V  
2.0V  
3.0V  
VDR  
VCC for Data Retention  
DataRetentionCurrent  
2.0  
V
ICCDR  
10  
15  
200  
300  
µA  
CE1 VCC – 0.2V or  
CE2 0.2V, VIN VCC – 0.2V  
or VIN 0.2V  
tCDR  
Chip Deselect to  
0
ns  
ns  
DataRetentionTime  
OperationRecoveryTime  
§
tR  
tRC  
*TA = +25°C  
§
tRC = Read Cycle Time  
This parameter is guaranteed but not tested.  
DATA RETENTION WAVEFORM  
Document # SRAM115 REV F  
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