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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 最大待机电流： | 0.025 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.145 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P4C164-45CMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45CMLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45CWCLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45CWILF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45CWMB | PYRAMID |
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Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| P4C164-45CWMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45CWMLF | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45DC | PYRAMID |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28 |
|
| P4C164-45DCLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
|
| P4C164-45DILF | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |
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