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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 40 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 175 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 20000 µA | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P086PH06F2K0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),175A I(T),TO-209AC |
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| P086PH06F2KO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| P086PH06FG | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| P086PH06FG0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 600V V(DRM) |
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| P086PH06FH | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 600 V, SCR |
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| P086PH06FJ | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 600 V, SCR |
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| P086PH06FJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 600V V(DRM) |
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| P086PH06FJO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 600 V, SCR |
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| P086PH08C2K0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),175A I(T),TO-209AC |
|
| P086PH08C2KO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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