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OPZ467GPZ

更新时间： 2024-02-22 15:48:13

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亚德诺 - ADI		放大器光电二极管
页数	文件大小	规格书
20页	481K
描述
IC QUAD OP-AMP, 1000 uV OFFSET-MAX, 22 MHz BAND WIDTH, PDIP14, PLASTIC, MS-001, DIP-14, Operational Amplifier

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OPZ467GPZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.84
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.7 µA
最小共模抑制比：	76 dB	标称共模抑制比：	85 dB
最大输入失调电压：	1000 µV	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e3	长度：	19.05 mm
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-5 V
功能数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	最小摆率：	0.15 V/us
标称压摆率：	90 V/us	子类别：	Operational Amplifier
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	22000 kHz	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

OPZ467GPZ 数据手册

OP467

SPECIFICATIONS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

@ V_S= ±±15. V, T_A= 21°C, unless otherwise noted5

Table 1.

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max Unit

INPUT CHARACTERISTICS

Offset Voltage

V_OS

I_B

0.2

0.5

600

700

100

150

−40°C ≤ T_A≤ +85°C

V_CM= 0 V

V_CM= 0 V, −40°C ≤ T_A≤ +85°C

V_CM= 0 V

Input Bias Current

150

Input Offset Current

I_OS

V_CM= 0 V, −40°C ≤ T_A≤ +85°C

Common-Mode Rejection

Large Signal Voltage Gain

CMR

A_VO

V_CM

R_L= 2 kΩ

12 V

12 V, −40°C ≤ T_A≤ +85°C

R_L= 2 kΩ, −40°C ≤ T_A≤ +85°C

77.5

Offset Voltage Drift

Bias Current Drift

Long-Term Offset Voltage Drift¹

ΔV_OS/ΔT

ΔI_B/ΔT

ΔV_OS/ΔT

3.5

0.2

μV/°C

pA/°C

μV

750

OUTPUT CHARACTERISTICS

Output Voltage Swing

V_O

R_L= 2 kΩ

R_L= 2 kΩ, −40°C ≤ T_A≤ +85°C

13.0

12.9

13.5

13.12

POWER SUPPLY

Power Supply Rejection Ratio

PSRR

I_SY

4.5 V ≤ V_S≤ 18 V

−40°C ≤ T_A≤ +85°C

V_O= 0 V

120

115

Supply Current

V_O= 0 V, −40°C ≤ T_A≤ +85°C

Supply Voltage Range

V_S

4.5

DYNAMIC PERFORMANCE

Gain Bandwidth Product

Slew Rate

GBP

A_V= +1, C_L= 30 pF

V_IN= 10 V step, R_L= 2 kΩ, C_L= 30 pF

A_V= +1

A_V= −1

V_IN= 10 V step

MHz

125

170

350

2.7

200

V/μs

MHz

Full-Power Bandwidth

Settling Time

Phase Margin

BW_ρ

t_S

θ₀

To 0.01%, V_IN= 10 V step

Degrees

Input Capacitance

Common Mode

Differential

2.0

1.0

NOISE PERFORMANCE

Voltage Noise

Voltage Noise Density

Current Noise Density

e_Np-p

e_N

i_N

f = 0.1 Hz to 10 Hz

f = 1 kHz

0.15

0.8

μV p-p

nV/√Hz

pA/√Hz

¹Long-term offset voltage drift is guaranteed by 1000 hrs. Life test performed on three independent wafer lots at 125°C, with an LTPD of 1.3.

Rev. I | Page 3 of 20

1 234 5 6 7...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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