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OPA211AI

更新时间： 2024-02-19 10:52:36
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器
页数 文件大小 规格书
17页 635K
描述
1.1nV/☆Hz Noise, Low Power, Precision Operational Amplifier in Small DFN-8 Package

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OPA211AI 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DFP
包装说明：QFP, SOP8,.4针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：2.13放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.125 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.25 µA最小共模抑制比：110 dB
标称共模抑制比：120 dB频率补偿：YES
最大输入失调电流 (IIO)：0.15 µA最大输入失调电压：260 µV
JESD-30 代码：R-CDFP-G8长度：6.9 mm
低-偏置：NO低-失调：YES
微功率：NO负供电电压上限：-20 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：210 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QFP封装等效代码：SOP8,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
包装方法：TUBE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
功率：NO电源：+-2.25/+-18/4.5/36 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.8 mm标称压摆率：27 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：7.5 mA
供电电压上限：20 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：MILITARY端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：45000 kHz
最小电压增益：316227.766宽带：YES
宽度：5.65 mmBase Number Matches：1

OPA211AI 数据手册

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OPA211  
OPA2211  
www.ti.com  
SBOS377D–OCTOBER 2006–REVISED FEBRUARY 2008  
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with  
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.  
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more  
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)  
Over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).  
VALUE  
UNIT  
V
Supply Voltage  
VS = (V+) – (V–)  
40  
(V–) – 0.5 to (V+) + 0.5  
±10  
Input Voltage  
V
Input Current (Any pin except power-supply pins)  
Output Short-Circuit(2)  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
mA  
Continuous  
(TA)  
(TA)  
(TJ)  
–55 to +150  
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
°C  
V
Junction Temperature  
Human Body Model (HBM)  
ESD Ratings  
3000  
Charged Device Model (CDM)  
1000  
V
(1) Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may  
degrade device reliability. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond  
those specified is not supported.  
(2) Short-circuit to VS/2 (ground in symmetrical dual supply setups), one amplifier per package.  
PACKAGE/ORDERING INFORMATION(1)  
PACKAGE  
DESIGNATOR  
PACKAGE  
MARKING  
PRODUCT  
PACKAGE-LEAD  
SINGLE  
SHUTDOWN  
DUAL  
Standard Grade  
DFN-8 (3×3mm)(2)  
ü
ü
ü
ü
DRG  
DGK  
OBDQ  
OBCQ  
OPA211AI  
OPA211AI  
MSOP-8(2)  
A TI OPA  
211  
SO-8  
ü
D
DFN-8 (3×3mm)(3)  
SO-8 PowerPAD(3)  
ü
ü
DRG  
DDA  
OBHQ  
OPA2211AI  
A TI OPA  
2211  
High Grade(3)  
DFN-8 (3×3mm)  
ü
ü
ü
ü
DRG  
DGK  
OBDQ  
OBCQ  
MSOP-8  
OPA211I  
TI OPA  
211  
SO-8  
ü
D
DFN-8 (3×3mm)  
SO-8 PowerPAD  
ü
ü
DRG  
DDA  
OBHQ  
OPA2211I  
TI OPA  
2211  
(1) For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI  
web site at www.ti.com.  
(2) Available Q2, 2008.  
(3) Available Q3, 2008.  
2
Submit Documentation Feedback  
Copyright © 2006–2008, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Link(s): OPA211 OPA2211  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
OPA211AID TI

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 		1.1nV/Noise, Low Power, Precision Operational Amplifier in Tiny DFN-8 Package
OPA211AIDG4 TI

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 		1.1nV/√Hz Noise, Low Power, Precision Opera

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