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OM6506CSA

更新时间： 2024-01-17 09:06:44

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	19K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN

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OM6506CSA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	2000 ns	门极发射器阈值电压最大值：	4 V
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	200 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	3000 ns	标称接通时间 (ton)：	300 ns
Base Number Matches：	1

OM6506CSA 数据手册

OM6505SA

OM6506SA

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

(IGBT) IN A HERMETIC TO-254AA PACKAGE

500 Volt, 15 And 20 Amp, N-Channel IGBT

In A Hermetic Metal Package

FEATURES

• Isolated Hermetic Metal Package

• High Input Impedance

• Low On-Voltage

• High Current Capability

• Fast Turn-Off

• Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

• Low Conductive Losses

• Ceramic Feedthroughs Available

DESCRIPTION

The IGBT power transistor features a high impedance insulated gate and a low

on-resistance characteristic of bipolar transistors. These devices are ideally suited

for motor drives, UPS converters, power supplies and resonant power converters.

MAXIMUM RATINGS @ 25°C Unless Specified Otherwise

PART

NUMBER

I_C(Cont.)

@ 90°C, A

V_(BR)CES

V_{CE (sat)}(Typ.)

T_f(Typ.)

q_JC

°C/W

P_D

T_J

°C

OM6505SA

OM6506SA

500

2.8

400

1.75

1.00

150

125

3.1

SCHEMATIC

MECHANICAL OUTLINE

.545

.535

.050

.040

.144 DIA.

Collector

.800

.790

.685

.665

.550

.530

PIN CONNECTION

Pin 1: Collector

Pin 2: Emitter

Gate

.550

.510

.005

Pin 3: Gate

.045

.035

.150 TYP.

Emitter

.260

.249

.150 TYP.

PACKAGE OPTIONS

6 PIN SIP

Z-TAB

MOD PAK

Standard Products are supplied with glass feedthroughs. For ceramic feedthroughs, add the letter “C” to the part number. Example - OMXXXXCSA.

IGBTs are also available in Z-Tab, dual and quad pak styles - Please call the factory for more information.

4 11 R2

Supersedes 2 07 R1

3.1 - 143

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与OM6506CSA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
OM6506SA	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-254AA	获取价格
OM6506SAT	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC	获取价格
OM6507SA	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 100V V(BR)CES \| 8A I(C) \| TO-254AA	获取价格
OM6508CSA	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC S	获取价格
OM6508SA	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC S	获取价格
OM6508SAT	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC S	获取价格

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