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OM50N06SR

更新时间： 2024-02-11 14:14:47

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6页	208K
描述
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D2 package

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OM50N06SR 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

OM50N06SR 数据手册

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06ST

OM50N06SA OM50N05SA OM50N05ST

LOW VOLTAGE, LOW R_DS(on)POWER MOSFETS

IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE

50V And 60V Ultra Low R_DS(on)

Power MOSFETs In TO-257 And TO-254

Isolated Packages

FEATURES

• Isolated Hermetic Metal Packages

• Ultra Low R_DS(on)

• Low Conductive Loss/Low Gate Charge

• Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

• Ceramic Feedthroughs Available

DESCRIPTION

This series of hermetic packaged MOSFETs are ideally suited for low voltage

applications; battery powered voltage power supplies, motor controls, dc to dc

converters and synchronous rectification. The low conduction loss allows smaller

heat sinking and the low gate charge simpler drive circuitry.

MAXIMUM RATINGS (Per Device)

PART NO.

OM60N06SA

OM50N06SA

OM50N06ST

OM60N05SA

OM50N05SA

OM50N05ST

V_DS(V)

R_DS(on)( )

.025

I_D(A)

Package

TO-254AA

TO-257AA

TO-254AA

TO-257AA

.030

.035

3.1

.025

.030

.035

SCHEMATIC

T-3 PIN

CONNECTION

M-PAK PIN

CONNECTION

Drain

2 3

Gate

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

Source

4 11 R1

Supersedes 3 02 R0

3.1 - 65

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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