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NTHL099N60S5

更新时间： 2023-09-03 20:29:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 261K
描述
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® V, Easy Drive, 600 V, 33 A, 99 mΩ, TO-247

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NTHL099N60S5 数据手册

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NTHL099N60S5  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Value  
0.68  
40  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, Max.  
R
°C/W  
q
JC  
R
q
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
V
V
I
= 0 V, I = 1 mA, T = 25_C  
600  
−
−
−
V
(BR)DSS  
GS  
D
J
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
Temperature Coefficient  
DV  
/
= 10 mA, Referenced to 25_C  
−
630  
mV/_C  
(BR)DSS  
D
DT  
J
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate−to−Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS  
I
V
GS  
= 0 V, V = 600 V, T = 25_C  
−
−
−
−
1
mA  
DSS  
GSS  
DS  
J
I
V
=
30 V, V = 0 V  
100  
nA  
GS  
DS  
Drain−to−Source On Resistance  
Gate Threshold Voltage  
R
V
V
= 10 V, I = 13.5 A, T = 25_C  
−
2.4  
−
79.2  
−
99  
4.0  
−
mW  
V
DS(on)  
GS  
D
J
V
= V , I = 2.8 mA, T = 25_C  
GS(th)  
GS  
DS  
D
J
Forward Trans−conductance  
g
FS  
V
DS  
= 20 V, I = 13.5 A  
26  
S
D
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE  
Input Capacitance  
C
V
= 400 V, V = 0 V, f = 250 kHz  
−
−
−
2500  
41  
−
−
−
pF  
ISS  
DS  
GS  
Output Capacitance  
C
OSS  
Time Related Output Capacitance  
C
I
= Constant, V = 0 V to 400 V,  
642  
OSS(tr.)  
D
DS  
= 0 V  
V
GS  
Energy Related Output Capacitance  
Total Gate Charge  
C
V
= 0 V to 400 V, V = 0 V  
−
−
−
−
−
70  
48  
12  
14  
6.9  
−
−
−
−
−
OSS(er.)  
DS  
GS  
Q
V
= 400 V, I = 13.5 A, V = 10 V  
nC  
G(tot)  
DD  
D
GS  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
Gate Resistance  
Q
GS  
Q
GD  
R
f = 1 MHz  
W
G
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
t
V
= 0/10 V, V = 400 V,  
−
−
−
−
26  
17  
92  
4.2  
−
−
−
−
ns  
d(on)  
GS  
D
DD  
I
= 13.5 A, R = 4.7 W  
G
t
r
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
d(off)  
t
f
SOURCE-TO−DRAIN DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
V
GS  
= 0 V, I = 13.5 A, T = 25_C  
−
−
−
−
1.2  
−
V
SD  
RR  
SD  
J
t
V
= 0 V, I = 13.5 A,  
310  
4627  
ns  
nC  
GS  
SD  
dI/dt = 100 A/ms, V = 400 V  
DD  
Q
−
RR  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
www.onsemi.com  
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