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NTHL040N120SC1

更新时间： 2024-01-20 23:51:59

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
7页	308K
描述
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

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NTHL040N120SC1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

NTHL040N120SC1 数据手册

NTHL040N120SC1

TYPICAL CHARACTERISTICS

100

4.0

= 20 V

= 10 V

= 12 V

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

15 V

19 V

18 V

15 V

16 V

17 V

16 V

18 V

19 V

12 V

10 V

= 20 V

1.0

0.5

30 40 50 60

80 90 100

, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

I , DRAIN CURRENT (A)

Figure 1. On−Region Characteristics

Figure 2. Normalized On−Resistance vs. Drain

Current and Gate Voltage

300

200

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

= 35 A

= 20 V

100

T = 150°C

0.9

0.7

T = 25°C

−75 −50 −25

25 50 75 100 125 150 175

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

, GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. On−Resistance Variation with

Figure 4. On−Resistance vs. Gate−to−Source

Temperature

Voltage

100

300

= −5 V

= 20 V

T = 175°C

T = 25°C

T = −55°C

T = 175°C

T = 25°C

T = −55°C

, GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics

Figure 6. Diode Forward Voltage vs. Current

www.onsemi.com

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