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NTE517

更新时间： 2024-10-30 07:13:47
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NTE 整流二极管微波高压局域网
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1页 20K
描述
Silicon High Voltage Plastic Rectifier for Industrial and Microwave Oven

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NTE517 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.52
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：10 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.55 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：15000 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

NTE517 数据手册

  
NTE517  
Silicon High Voltage Plastic Rectifier  
for Industrial and Microwave Oven  
Features:  
D Controlled Avalanche Characteristic Combined with the Ability to Dissipate Reverse Power  
D Low Forward Voltage Drop  
D Typical IR less than 0.1µA  
D High Overload Surge Capacity  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified, Single  
phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load derate current by 20%.)  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage, PRV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15000V  
Maximum RMS Voltage, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10500V  
Maximum DC Blocking Voltage, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15000V  
Maximum Average Forward Rectified Current (TA = +60°C), IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550mA  
Peak Forward Surge Current, IFM(Surge)  
(8.3ms Single Half Sine–Wave Superimposed on Rated Load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A  
Maximum Peak Reverse Surge Current (Note 1), IFRM(Surge) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (IO = 550mA), VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V  
Maximum DC Reverse Current (at Rated Blocking Voltage),IR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5µA  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +130°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +130°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18°C/W  
Note 1. Measured at 8.3ms single half sine–wave, single pulse.  
Note 2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at .375” (9.5mm) lead lengths.  
1.000  
(25.4)  
Min  
.827 (21.0)  
.052 (1.3) Dia Max  
.295 (7.5) Dia Max  
Color Band Denotes Cathode  
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