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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 基于收集器的最大容量： | 200 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-66 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 2500 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTC1865 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
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| NTC1866 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| NTC1866 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| NTC1867 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| NTC1867 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| NTC1868 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| NTC1868 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| NTC1869 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| NTC1870 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| NTC1871A | RENESAS |
获取价格 |
15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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