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NT56V6650C0T-8B

更新时间: 2024-01-09 20:11:08
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
43页 352K
描述
x4 SDRAM

NT56V6650C0T-8B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SSOP包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.56访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.14 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

NT56V6650C0T-8B 数据手册

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NT56V6650C0T  
64Mb : x4  
PC133 / PC100 Synchronous DRAM  
NT56V6650C0T (16Mx4)  
64Mb Synchronous DRAM  
Data Sheet  
REV 1.1 June, 2000  
1
© NANYA TECHNOLOGY CORP.  
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.  

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