是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.53 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 集电极-发射极最大电压: | 100 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.71 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 110 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NSS1C201LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSV1C201MZ4T1G | ONSEMI |
获取价格 |
2.0 A,100 V,低饱和压,NPN 双极晶体管 | |
NSV1C300CTWG | ONSEMI |
获取价格 |
100 V, 3A, Low VCE(sat) PNP Bipolar Junction Transistor | |
NSV1C300ET4G | ONSEMI |
获取价格 |
3 A,100 V 低 VCE(sat) PNP 晶体管 | |
NSV1C301CTWG | ONSEMI |
获取价格 |
100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor | |
NSV1C301ET4G | ONSEMI |
获取价格 |
3 A,100 V 低 VCE(sat) NPN 晶体管 | |
NSV1SS400T1G | ONSEMI |
获取价格 |
High-Speed Switching Diode | |
NSV1SS400T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Switching Diode, 100 V | |
NSV20101JT1G | ONSEMI |
获取价格 |
20 V,1.0 A,低饱和压,NPN 双极晶体管 | |
NSV20200DMTWTBG | ONSEMI |
获取价格 |
Dual 20V 2A Low VCE(sat) PNP Transistors in WDFN6 | |
NSV20200LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
低饱和压晶体管,PNP,-20 V,4.0 A |