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NS41256S20E/883

更新时间: 2024-01-11 12:16:06
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 40K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

NS41256S20E/883 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CQCC-N32
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

NS41256S20E/883 数据手册

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MICROCIRCUIT DATA SHEET  
MNNS41256S20-X REV 0A0  
Electrical Characteristics  
DC PARAMETERS: ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
DC: Vcc=5.0V +10%, TA=-55 C to +125 C  
PIN-  
NAME  
SUB-  
SYMBOL  
ILI  
PARAMETER  
CONDITIONS  
NOTES  
MIN  
-10  
MAX UNIT  
GROUPS  
Input Leakage  
Current  
Vcc=Max., Vin=Gnd to Vcc  
10  
uA  
uA  
V
1, 2,  
3
ILO  
Vih  
Vil  
Vol  
Output Leakage  
Current  
Vcc=Max., CE=Vih, Vout=Gnd to Vcc  
-10  
10  
1, 2,  
3
Input High  
Voltage  
2.2  
6.0  
0.8  
0.4  
0.5  
1, 2,  
3
Input Low Voltage  
6
-0.5  
V
1, 2,  
3
Output Low  
Voltage  
Iol=8mA, Vcc=Min.  
Iol=10mA, Vcc=Min.  
Ioh=-4mA, Vcc=Min.  
V
1, 2,  
3
V
1, 2,  
3
Voh  
Output High  
Voltage  
2.4  
V
1, 2,  
3
DC PARAMETERS: Power Supply Characteristics  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
DC: Vcc=5.0V +10%  
Icc  
Operating Current CE=Vil, f=fmax=1/trc, Vcc=Max.,  
Iout=0mA  
170  
mA  
mA  
mA  
1, 2,  
3
ISB  
Standby Current  
CE=Vih, f=fmax=1/trc, Vcc=Max.  
40  
20  
1, 2,  
3
ISB1  
Full Standby  
Current  
CE>Vcc-0.2V, f=0, Vcc=Max.,  
Vin>Vcc-0.2V or <0.2V  
1, 2,  
3
4

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