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NP36N055SLE-AZ

更新时间： 2024-01-02 05:01:27

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瑞萨 - RENESAS		/
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9页	376K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252

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NP36N055SLE-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP36N055SLE-AZ 数据手册

NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE

Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

Figure7. DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

100

Pulsed

200

160

120

GS = 10 V

4.5 V

= −55˚C

25˚C

5 V

0.1

75˚C

150˚C

175˚C

0.01

VGS - Gate to Source Voltage - V

DS - Drain to Source Voltage - V

Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

100

DS=10V

Pulsed

= 175˚C

75˚C

25˚C

0.1

−55˚C

ID = 18 A

0.01

0.1

100

ID - Drain Current - A

VGS - Gate to Source Voltage - V

Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE

Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

3.0

Pulsed

^Gµ^S

^D=^{S =}25^V0

2.5

2.0

1.5

1.0

5 V

GS = 4.5 V

10 V

0.5

100

1000

−50

100

150

- Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - ˚C

Data Sheet D14156EJ4V0DS

1...3 4 567 8 9

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与NP36N055SLE-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP36N055SLE-E1-AY	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N10SDE	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP36N10SDE-E1-AY	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP36N10SDE-E2-AY	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP36P04KDG	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP36P04KDG	RENESAS	Power MOSFETs for Automotive	获取价格