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NP34N055IHE-AZ

更新时间： 2024-01-03 11:25:45

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
7页	170K
描述
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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技术参数
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NP34N055IHE-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	34 A
最大漏源导通电阻：	0.019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	136 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP34N055IHE-AZ 数据手册

NP34N055HHE, NP34N055IHE, NP34N055SHE

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

140

120

100

25 50 75 100 125 150 175 200

- Case Temperature - ˚C

TC - Case Temperature - ˚C

Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY

DERATING FACTOR

Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

120

100

1000

100

100 mJ

72 mJ

D(pulse)

D(DC)

I^AS= 10 A

27 A

34 A

11 mJ

= 25˚C

Single Pulse

0.1

100

125

150

175

DS - Drain to Source Voltage - V

Starting T^ch- Starting Channel Temperature - ˚C

Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

th(ch-A) = 125 ˚C/W

th(ch-C) = 1.70 ˚C/W

100

0.1

0.01

Single Pulse

= 25˚C

10 µ

1 m

10 m

100 m

100

1000

100 µ

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D14153EJ4V0DS

1 234 5 6 7

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