NP110N04PUK

更新时间： 2024-01-07 00:42:05

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP110N04PUK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	288 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP110N04PUK 数据手册

NP110N04PUK

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

1000

500

400

300

200

100

T_A= –55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

0.1

0.01

0.001

V_GS= 10 V

Pulsed

V_DS= 10 V

Pulsed

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

V_DS- Drain to Source Voltage - V

V_GS- Gate to Source Voltage - V

GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

1000

100

T_A= –55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

V_DS= V_GS

I_D= 250 μA

V_DS= 5 V

Pulsed

–100 –50

100

150

200

100

1000

T_ch- Channel Temperature - °C

I_D- Drain Current - A

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

V_GS= 10 V

I_D= 55 A

Pulsed

100

I_D- Drain Current - A

Pulsed

_GS- Gate to Source Voltage - V

0.1

1000

R07DS0570EJ0100 Rev.1.00

Nov 17, 2011

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