NP0900SCT3G

更新时间： 2024-02-10 04:42:59

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安森美 - ONSEMI		触发装置硅浪涌保护器光电二极管高压
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描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

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NP0900SCT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CASE 403C-01, SMB, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大转折电压：	98 V
配置：	SINGLE	最大断态直流电压：	75 V
最大维持电流：	150 mA	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Silicon Surge Protectors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

NP0900SCT3G 数据手册

NP Series

SURGE RATINGS

Characteristics

Symbol

Unit

Nominal Pulse

A(pk)

Surge Short Circuit Current Non – Repetitive

Double Exponential Decay Waveform (Notes 5, 6 and 7)

2 x 10 mSec

150

250

150

125

100

500

400

200

150

200

100

PPS1

PPS2

PPS3

PPS4

PPS5

PPS6

PPS7

8 x 20 mSec

10 x 160 mSec

10 x 360 mSec

10 x 560 mSec

10 x 700 mSec

10 x 1000 mSec

5. Allow cooling before testing second polarity.

6. Measured under pulse conditions to reduce heating.

7. Nominal values may not represent the maximum capability of a device.

t = rise time to peak value

t = decay time to half value

Peak

Value

100

(BO)

−Voltage

+Voltage

Half Value

DRM (BO)

TIME (ms)

−I

Figure 2. Voltage Current Characteristics of TSPD

Figure 1. Exponential Decay Pulse Waveform

Symbol

Parameter

Peak Off State Voltage

DRM

Breakover Voltage

Breakover Current

Holding Current

(BO)

On State Voltage

On State Current

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