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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 40 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9.817 mm | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 64 words | 字数代码： | 64 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64X16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NMC93CS46N | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC93CS46N3 | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC93CS56 | NSC |
获取价格 |
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES |
|
| NMC93CS56E | NSC |
获取价格 |
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES |
|
| NMC93CS56EM | NSC |
获取价格 |
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES |
|
| NMC93CS56EM3 | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC93CS56EMX | TI |
获取价格 |
128X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14 |
|
| NMC93CS56EN | NSC |
获取价格 |
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES |
|
| NMC93CS56EN3 | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC93CS56M | NSC |
获取价格 |
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES |
|
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