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NMC93CS66E

更新时间: 2024-02-25 01:30:09
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美国国家半导体 - NSC /
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11页 322K
描述
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES

NMC93CS66E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.817 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.00005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

NMC93CS66E 数据手册

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