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NMC93CS56MM

更新时间: 2024-01-30 23:18:20
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美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
11页 322K
描述
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES

NMC93CS56MM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.68
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):1 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.817 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128X16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.00005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.003 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

NMC93CS56MM 数据手册

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