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NMC93CS66M

更新时间: 2024-02-10 00:23:15
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美国国家半导体 - NSC 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
11页 322K
描述
2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES

NMC93CS66M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.817 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.00005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

NMC93CS66M 数据手册

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