是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.83 |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.5 MHz | 数据保留时间-最小值: | 40 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 9.817 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 128 words |
字数代码: | 128 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128X16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
串行总线类型: | MICROWIRE | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 15 ms | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NMC93C56M | ETC |
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Microwire Serial EEPROM | |
NMC93C56M3 | ETC |
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Microwire Serial EEPROM | |
NMC93C56M3X | TI |
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IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14, Programmable | |
NMC93C56MM | NSC |
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IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14, Programmable | |
NMC93C56MN | NSC |
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IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM | |
NMC93C56N | NSC |
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IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM | |
NMC93C56N3 | ETC |
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Microwire Serial EEPROM | |
NMC93C66EM | NSC |
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IC 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14, Programmable | |
NMC93C66EM3 | ETC |
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Microwire Serial EEPROM | |
NMC93C66EN | NSC |
获取价格 |
IC 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM |