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Datasheet > 存储 > OTP ROM> NM27P512N150
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NM27P512N150

更新时间： 2024-01-24 21:32:46
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 178K
描述
524,288-Bit (64K x 8) Processor Oriented CMOS EPROM

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NM27P512N150 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.28
最长访问时间：150 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：35.725 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.334 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

NM27P512N150 数据手册

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Programming Characteristics (Notes 1 and 2)  
Symbol  
Parameter  
Address Setup Time  
OE Setup Time  
Conditions  
Min  
1
Typ  
Max  
Units  
ms  
ms  
ms  
ms  
ms  
ms  
ns  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
AS  
1
OES  
DS  
Data Setup Time  
1
V
CC  
Setup Time  
1
VCS  
AH  
Address Hold Time  
Data Hold Time  
0
1
DH  
e
e
Chip Enable to Output Float Delay  
Program Pulse Width  
OE Hold Time  
OE  
OE  
V
V
0
60  
CF  
IL  
95  
1
100  
105  
ms  
ms  
ns  
PW  
OEH  
DV  
Data Valid from CE  
250  
IL  
OE Pulse Rise Time  
during Programming  
PRT  
50  
1
ns  
ms  
t
VR  
V
PP  
Recovery Time  
e
e
I
V
Supply Current during  
CE  
OE  
V
PP  
PP  
Programming Pulse  
IL  
30  
mA  
mA  
V
PP  
I
V
CC  
Supply Current  
50  
30  
6.5  
13  
CC  
T
Temperature Ambient  
20  
6
25  
C
§
R
V
Power Supply Voltage  
6.25  
12.75  
V
CC  
PP  
V
Programming Supply Voltage  
Input Rise, Fall Time  
12.5  
5
V
t
ns  
V
FR  
V
V
Input Low Voltage  
0
4
0.45  
IL  
Input High Voltage  
2.4  
0.8  
0.8  
V
IH  
t
t
Input Timing Reference Voltage  
Output Timing Reference Voltage  
2
2
V
IN  
OUT  
V
Programming Waveforms  
TL/D/11365–5  
Note 1: National’s standard product warranty applies to devices programmed to specifications described herein.  
Note 2: V must be applied simultaneously or before V and removed simultaneously or after V . The EPROM must not be inserted into or removed from a  
CC  
board with voltage applied to V or V  
P
P
P
P
.
CC  
PP  
Note 3: The maximum absolute allowable voltage which may be applied to the V pin during programming is 14V. Care must be taken when switching the V  
PP  
PP  
supply to prevent any overshoot from exceeding this 14V maximum specification. At least a 0.1 mF capacitor is required across V to GND to suppress spurious  
CC  
voltage transients which may damage the device.  
Note 4: Programming and program verify are tested with the fast Program Algorithm at typical power supply voltages and timings.  
5
12345678...12

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